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型号 |
GB/T 17702-2013 | IEC 61071-2017 |
| 630~3000V直流 | -40~105℃ | |
| 0.1~5uF | ||
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功能 |
安装简便。. |
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高 dv/dt 强度…….
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耐压能力强，功耗低，温升小。. |
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应用 |
IGBT 过热保护。. |
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| 用于电力电子设备中，以吸收并防止
开关器件关断时的峰值电压和峰值电流。. |
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我们电容器采用的设计确保其安装快速简便。这减少了安装所需的时间和精力，因此非常适合那些对效率和简便性要求极高的应用场景。.
这些电容器能够承受高电压，且损耗极小。这一特性确保它们即使在最苛刻的应用环境中也能可靠运行，并提供持久、稳定的性能。.
我们的电容器设计将功耗降至最低，从而提高了整体效率。在每瓦功耗都至关重要的高性能应用中，低功耗至关重要，它能确保系统保持高能效和成本效益。.
即使在高负荷条件下，我们的电容器也能保持较低的温升。这一特性不仅延长了其使用寿命，还能确保其长期保持稳定性能，从而减少了频繁更换的需求。.
我们的电容器专为应对高电压变化率（dv/dt）而设计。这一特性对于涉及快速开关和动态电路的应用至关重要，而在这些应用中，传统电容器可能会失效。.
在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，我们的电容器充当缓冲器，用于防范电压尖峰和瞬态现象。它们吸收多余的能量，防止IGBT受损，从而确保其平稳、可靠地运行。.
这些电容器非常适合吸收电力电子设备中的峰值电压和峰值电流。它们能提供针对电压尖峰和浪涌的保护，从而保护敏感元件并提高整个系统的耐用性。.
 预期寿命与充电温度的关系 |
 预期寿命的损失与……相比. |
 寿命周期内电容变化率与温度的关系 |
 工作电流与温度的关系 |
 工作电压与温度的关系 |
 （CR值）IR与温度的关系 |
 电容变化率与频率的关系 |
 电容变化率与频率的关系 |
